চীন ইনফ্রারেড ফটোইলেকট্রিক সেন্সর

• 

  S1336-44BQ সিলিকন ফোটোডিওড পিন সুনির্দিষ্ট ফোটমেট্রি জন্য নিম্ন ধারণক্ষমতা ইউভি থেকে এনআইআর

  সংবেদনশীল এলাকা:3.6 × 3.6 মিমি

  পিক্সেলের সংখ্যা:1

  রেফ্রিজারেশন এবং:নন - শীতল

  এখন যোগাযোগ
• 

  S16838-01MS silicon photodiode for Visible Light Intensity Measurement Color Identification & Sorting

  আলোক সংবেদনশীল এলাকা:2.8 × 2.4 মিমি।

  বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা:320nm থেকে 730nm

  আলোক সংবেদনশীলতা:0.3 এ/ডাব্লু

  এখন যোগাযোগ
• 

  S16838-02MS Silicon photodiode For Optical Detection Equipment Automated Industrial Production Line

  আলোক সংবেদনশীল এলাকা:2.8 × 2.4 মিমি

  বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা:320 থেকে 1100nm

  পিক সংবেদনশীলতা টাইপ।:0.58a/ডাব্লু

  এখন যোগাযোগ
• 

  S10227-10 Photoelectric Sensor Small-sized Resin-sealed CMOS Image Sensor For Barcode Scanning Displacement Measurement

  পিক্সেল মাত্রা:12.5 × 250μm।

  বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা:400 - 1000nm।

  ভিডিও ডেটা হার:5MHz পর্যন্ত

  এখন যোগাযোগ
• 

  Infrared Light Source JSIR350-4-AL-R-D6 For NDIR Gas Analysis Industrial Commercial

  বর্ণালী আউটপুট পরিসীমা:টাইপ। 1 - 20 মিমি

  গরম প্রতিরোধী:40 ± 20 ω

  সময় ধ্রুবক:15 মি.সে

  এখন যোগাযোগ
• 

  YJJ S1226-8BK উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা সিলিকন ফটোডাইড অতিবেগুনী থেকে দৃশ্যমান আলো থেকে স্পষ্টতা ফটোমেট্রি জন্য উপযুক্ত

  প্রাপ্তি পৃষ্ঠ:5.8 × 5.8 মিমি

  প্যাকেজ বিভাগ:TO-8

  বিপরীত ভোল্টেজ (সর্বাধিক):5 ভি

  এখন যোগাযোগ
• 

  এক্সপোজার মিটার এবং ইলুমিনোমিটারের জন্য বিপরীত ভোল্টেজ ভিআর ম্যাক্স. ভি 10 ইউভি ফটোডাইড সেন্সর এস 1133-01

  সক্রিয় এলাকার আকার:2.4 x2.8

  কার্যকর সক্রিয় অঞ্চল:6.6

  বিপরীত ভোল্টেজ ভিআর সর্বোচ্চ। (V):10

  এখন যোগাযোগ
• 

  S6931-01 সিলিকন ফটোডাইওডগুলি স্বচ্ছ প্লাস্টিকের প্যাকেজগুলিতে ছাঁচনির্মাণ করা

  হালকা গ্রহণের দিক:2.4 × 2.8 মিমি

  এনক্যাপসুলেশন:প্লাস্টিক

  কুলিং:ঠান্ডা নয়

  এখন যোগাযোগ
• 

  S6775 S6775-01 সিলিকন পিন ফটোডাইড উচ্চ গতির প্রতিক্রিয়া

  হালকা গ্রহণের দিক:5.5 × 4.8 মিমি

  এনক্যাপসুলেশন:প্লাস্টিক

  হিমায়ন:ঠান্ডা নয়

  এখন যোগাযোগ
• 

  উচ্চ সংবেদনশীল S7686 Si Photodiode যার শীর্ষ সংবেদনশীলতা তরঙ্গদৈর্ঘ্য 550 nm এবং বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা 480-660 nm

  বিপরীত ভোল্টেজ:10 ভি

  অপারেটিং তাপমাত্রা:-১০ থেকে +৬০ ডিগ্রি সেলসিয়াস

  স্টোরেজ তাপমাত্রা:-20 থেকে +70 ° C

  এখন যোগাযোগ
• 

  সিলিকন পিন ফোটোডাইড S1226-8BK S1226-8BQ উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা

  হালকা গ্রহণের দিক:5.8 × 5.8 মিমি

  এনক্যাপসুলেশন:ধাতু

  প্যাকেজ বিভাগ:TO-8

  এখন যোগাযোগ
• 

  EMIRS200-AT01T-BR090 কম-পাওয়ার পোর্টেবল ইনফ্রারেড লাইট সোর্স পোর্টেবল গ্যাস বিশ্লেষকদের জন্য

  বর্ণালী পরিসীমা:2 ~ 14 মিমি

  শিখর নির্গমন তরঙ্গদৈর্ঘ্য:9.6 মিমি (co₂ শোষণ)

  দীপ্তিমান শক্তি:33 মেগাওয়াট (500 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডে)

  এখন যোগাযোগ