|
পণ্যের বিবরণ:
|
| চিপের আকার: | 1 মিমি 2 | প্যাকেজ: | এসএমডি 3535 |
|---|---|---|---|
| বৈশিষ্ট্য: | উচ্চ স্বচ্ছ কোয়ার্টজ উইন্ডো, উচ্চ সংবেদনশীলতা, কম অন্ধকার বর্তমান | প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য: | 230-325 এনএম |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | UVB UV Photodiode সেন্সর,UV Photodiode সেন্সর GS-UVB-3535LQC,SIC UV ফটোডিওড |
||
পণ্যের বর্ণনা:
GS-UVB-3535LQC UVB SIC UV Photodiode Sensor UV-B রেডিয়েশন ডোজ পরিমাপ
বৈশিষ্ট্যঃ
সাধারণ বৈশিষ্ট্যঃ
l ইউভিবি + ইউভিসি ব্যান্ডে নির্বাচনী প্রতিক্রিয়া
l ফোটোভোলটাইক মোড অপারেশন
l কোয়ার্টজ উইন্ডো সহ SMD 3535 সিরামিক প্যাকেজ
l উচ্চ প্রতিক্রিয়াশীলতা এবং কম অন্ধকার বর্তমান
অ্যাপ্লিকেশনঃ
ইউভি-বি ল্যাম্প মনিটরিং, ইউভি-বি বিকিরণের ডোজ পরিমাপ
স্পেসিফিকেশনঃ পরামিতি প্রতীক মান ইউনিট সর্বোচ্চ রেটিং
অপারেশন তাপমাত্রা পরিসীমা Topt -25-85 oC
স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা Tto -40-80 oC
সোল্ডারিং তাপমাত্রা (3 সেকেন্ড) Tsol 260 oC
বিপরীত ভোল্টেজ Vr-max -10 V
সাধারণ বৈশিষ্ট্য (25 oC) চিপ আকার A 1 mm2 অন্ধকার বর্তমান (Vr = -5 V) Id <1 nA তাপমাত্রা সহগ (@265 nm) Tc 005 %/ oC ক্যাপাসিট্যান্স (০ ভি এবং ১ মেগাহার্জ এ) Cp 18 pF> <১ nA তাপমাত্রা সহগ Tc 0.065 %/ oC ক্যাপাসিট্যান্স (০ ভোল্ট এবং ১ মেগাহার্জ এ) Cp ১.৭ পিএফ>
<1 nA তাপমাত্রা সহগ (@265 nm) Tc 0.05 %/ oC ক্যাপাসিটেন্স (০ ভি এবং ১ মেগাহার্টজে) Cp 18 p>
বিশেষ উল্লেখ:
| পিক রেসপন্সিবিলিটির তরঙ্গদৈর্ঘ্য | λ p ২৯০ এনএম |
| সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়াশীলতা (৩৮৫ এনএম) | Rmax 0.129 A/W |
| বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (R=0.1×Rmax) | ২৩০-৩২৫ এনএম |
| ইউভি-দৃশ্যমান প্রত্যাখ্যান অনুপাত (Rmax/R450 nm) | - > ১০ - |
ব্যক্তি যোগাযোগ: Xu
টেল: 86+13352990255
